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| 10+ | CNY83.180 (CNY93.9934) |
| 50+ | CNY77.190 (CNY87.2247) |
| 100+ | CNY71.220 (CNY80.4786) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号UF4C120070K3S
库存编号4221996
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续27.5A
漏源电压, Vds1.2kV
漏源接通状态电阻72mohm
晶体管封装类型TO-247
针脚数3引脚
Rds(on)测试电压12V
阈值栅源电压最大值6V
功率耗散217W
工作温度最高值175°C
产品范围-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (17-Jan-2023)
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
27.5A
漏源接通状态电阻
72mohm
针脚数
3引脚
阈值栅源电压最大值
6V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (17-Jan-2023)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
1.2kV
晶体管封装类型
TO-247
Rds(on)测试电压
12V
功率耗散
217W
产品范围
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.008176

