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| 5+ | CNY120.200 (CNY135.826) |
| 10+ | CNY103.930 (CNY117.4409) |
| 50+ | CNY95.260 (CNY107.6438) |
| 100+ | CNY86.580 (CNY97.8354) |
| 250+ | CNY84.850 (CNY95.8805) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号UF4C120053K3S复制
制造商标准货期78 周
库存编号4221995
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续34A
漏源电压, Vds1.2kV
漏源接通状态电阻53mohm
晶体管封装类型TO-247
针脚数3引脚
Rds(on)测试电压12V
阈值栅源电压最大值6V
功率耗散263W
工作温度最高值175°C
产品范围-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (17-Jan-2023)
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
34A
漏源接通状态电阻
53mohm
针脚数
3引脚
阈值栅源电压最大值
6V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (17-Jan-2023)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
1.2kV
晶体管封装类型
TO-247
Rds(on)测试电压
12V
功率耗散
263W
产品范围
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.008119

