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| 5+ | CNY111.250 (CNY125.7125) |
| 10+ | CNY92.520 (CNY104.5476) |
| 50+ | CNY89.880 (CNY101.5644) |
| 100+ | CNY87.240 (CNY98.5812) |
| 250+ | CNY85.500 (CNY96.615) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号UF3C120080B7S
库存编号4221992
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续28.8A
漏源电压, Vds1.2kV
漏源接通状态电阻85mohm
晶体管封装类型D2PAK
针脚数7引脚
Rds(on)测试电压12V
阈值栅源电压最大值6V
功率耗散190W
工作温度最高值175°C
产品范围-
湿气敏感性等级MSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (17-Jan-2023)
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
28.8A
漏源接通状态电阻
85mohm
针脚数
7引脚
阈值栅源电压最大值
6V
工作温度最高值
175°C
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
1.2kV
晶体管封装类型
D2PAK
Rds(on)测试电压
12V
功率耗散
190W
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (17-Jan-2023)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.001

