打印页面
UF3C065080B7S
碳化硅MOSFET, 单, N通道, 27 A, 650 V, 85 mohm, D2PAK
可订购
制造商标准交货时间：77 周
有货时请通知我
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY104.240 (CNY117.7912) |
| 5+ | CNY88.420 (CNY99.9146) |
| 10+ | CNY72.600 (CNY82.038) |
| 50+ | CNY65.490 (CNY74.0037) |
| 100+ | CNY58.370 (CNY65.9581) |
| 250+ | CNY57.210 (CNY64.6473) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
CNY104.24 (CNY117.79 含税)
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号UF3C065080B7S复制
库存编号4221964
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续27A
漏源电压, Vds650V
漏源接通状态电阻85mohm
晶体管封装类型D2PAK
针脚数7引脚
Rds(on)测试电压12V
阈值栅源电压最大值6V
功率耗散136.4W
工作温度最高值175°C
产品范围-
湿气敏感性等级MSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (17-Jan-2023)
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
27A
漏源接通状态电阻
85mohm
针脚数
7引脚
阈值栅源电压最大值
6V
工作温度最高值
175°C
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
650V
晶体管封装类型
D2PAK
Rds(on)测试电压
12V
功率耗散
136.4W
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (17-Jan-2023)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001