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UF3C065080B3
碳化硅MOSFET, 单, N通道, 25 A, 650 V, 0.08 ohm, D2PAK
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY75.960 | CNY75.96 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY75.960 (CNY85.8348) |
| 5+ | CNY64.750 (CNY73.1675) |
| 10+ | CNY53.540 (CNY60.5002) |
| 50+ | CNY49.090 (CNY55.4717) |
| 100+ | CNY44.640 (CNY50.4432) |
| 250+ | CNY43.750 (CNY49.4375) |
品項附註
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号UF3C065080B3
库存编号
复卷4014237RL
切割卷带4014237
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续25A
漏源电压, Vds650V
漏源接通状态电阻0.08ohm
晶体管封装类型D2PAK
针脚数3引脚
Rds(on)测试电压12V
阈值栅源电压最大值5V
功率耗散115W
工作温度最高值175°C
产品范围-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
25A
漏源接通状态电阻
0.08ohm
针脚数
3引脚
阈值栅源电压最大值
5V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
650V
晶体管封装类型
D2PAK
Rds(on)测试电压
12V
功率耗散
115W
产品范围
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0014