RFP70N06

功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 70 A, 0.014 ohm, TO-220AB, 通孔

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ONSEMI RFP70N06
ONSEMI RFP70N06
ONSEMI RFP70N06
制造商ONSEMI
制造商产品编号RFP70N06
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  • 制造商ONSEMI
    制造商产品编号RFP70N06
    库存编号9845780
    技术数据表
    通道类型N通道
    漏源电压, Vds60V
    电流, Id 连续70A
    漏源接通状态电阻0.014ohm
    晶体管封装类型TO-220AB
    晶体管安装通孔
    Rds(on)测试电压10V
    阈值栅源电压最大值4V
    功率耗散150W
    针脚数3引脚
    工作温度最高值175°C
    产品范围-
    合规-
    湿气敏感性等级-
    SVHC(高度关注物质)Lead (25-Jun-2025)
  • The RFP70N06 is a 60V N-channel power MOSFET using MegaFET process. This process, which uses feature sizes approaching those of LSI integrated circuits gives optimum utilization of silicon, resulting in outstanding performance. The MOSFET is designed for applications such as switching regulators, switching converters, motor drivers and relay drivers. This transistor can be operated directly from integrated circuits. This product is general usage and suitable for many different applications.

    • Temperature compensating PSPICE® model
    • Peak current vs. pulse width curve
    • UIS Rated curve
    • 175°C Rated junction temperature
  • 通道类型

    N通道

    电流, Id 连续

    70A

    晶体管封装类型

    TO-220AB

    Rds(on)测试电压

    10V

    功率耗散

    150W

    工作温度最高值

    175°C

    合规

    -

    SVHC(高度关注物质)

    Lead (25-Jun-2025)

    漏源电压, Vds

    60V

    漏源接通状态电阻

    0.014ohm

    晶体管安装

    通孔

    阈值栅源电压最大值

    4V

    针脚数

    3引脚

    产品范围

    -

    湿气敏感性等级

    -

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  • 原产地:
    进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:
    China
    进行最后一道重要生产流程所在的地区
    税则号:85412900
    US ECCN:EAR99
    EU ECCN:NLR
    RoHS 合规:Y-Ex

    RoHS

    RoHS 邻苯二甲酸盐合规:

    RoHS

    SVHC:Lead (25-Jun-2025)
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    产品合规证书

    重量(千克):.002041