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NXV08V110DB1
晶体管, MOSFET, 80 V, 1700 µohm, 10 V, 4 V
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY242.030 (CNY273.4939) |
| 5+ | CNY210.800 (CNY238.204) |
| 10+ | CNY179.560 (CNY202.9028) |
| 50+ | CNY175.570 (CNY198.3941) |
| 100+ | CNY171.570 (CNY193.8741) |
包装规格：管 1
最低: 1
多件: 1
CNY242.03 (CNY273.49 含税)
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技术规格
通道类型
-
漏源电压, Vds
80V
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
-
产品范围
-
电流, Id 连续
-
漏源接通状态电阻
1700µohm
阈值栅源电压最大值
4V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (15-Jan-2018)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
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产品合规证书
重量（千克）：.1