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NXH40T120L3Q1PG
IGBT模块, PIM 半桥逆变器, 42 A, 1.85 V, 146 W, 175 °C, PIM
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NXH40T120L3Q1PG复制
库存编号3265491
产品范围NXH40T120L3Q1
技术数据表
IGBT配置PIM 半桥逆变器
连续集电极电流42A
集电极-发射极饱和电压1.85V
功率耗散146W
工作温度最高值175°C
晶体管封装类型PIM
IGBT端接压合
最大集电极发射电压1.2kV
IGBT技术Trench Field Stop
晶体管安装面板
产品范围NXH40T120L3Q1
SVHC(高度关注物质)No SVHC (15-Jan-2018)
产品概述
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技术规格
IGBT配置
PIM 半桥逆变器
集电极-发射极饱和电压
1.85V
工作温度最高值
175°C
IGBT端接
压合
IGBT技术
Trench Field Stop
产品范围
NXH40T120L3Q1
连续集电极电流
42A
功率耗散
146W
晶体管封装类型
PIM
最大集电极发射电压
1.2kV
晶体管安装
面板
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (15-Jan-2018)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85415000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0001