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NXH40B120MNQ1SNG
碳化硅MOSFET, EliteSiC, ThreePack, 三N沟道, 44 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, Module
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| 10+ | CNY797.790 (CNY901.5027) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NXH40B120MNQ1SNG
库存编号3929811
产品范围EliteSiC Series
技术数据表
MOSFET模块配置ThreePack
通道类型三N沟道
电流, Id 连续44A
漏源电压, Vds1.2kV
漏源接通状态电阻0.04ohm
针脚数32引脚
Rds(on)测试电压20V
阈值栅源电压最大值-
功率耗散156W
工作温度最高值175°C
产品范围EliteSiC Series
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
MOSFET模块配置
ThreePack
电流, Id 连续
44A
漏源接通状态电阻
0.04ohm
Rds(on)测试电压
20V
功率耗散
156W
产品范围
EliteSiC Series
通道类型
三N沟道
漏源电压, Vds
1.2kV
针脚数
32引脚
阈值栅源电压最大值
-
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.09