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NXH006P120M3F2PTHG
碳化硅MOSFET, EliteSiC，2 包, 半桥, N通道, 191 A, 1.2 kV, 8000 µohm, PIM
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| 5+ | CNY1,159.500 (CNY1,310.235) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NXH006P120M3F2PTHG复制
库存编号4472916
技术数据表
MOSFET模块配置半桥
通道类型N通道
电流, Id 连续191A
漏源电压, Vds1.2kV
漏源接通状态电阻8000µohm
晶体管封装类型PIM
针脚数36引脚
Rds(on)测试电压18V
阈值栅源电压最大值4.4V
功率耗散556W
工作温度最高值150°C
产品范围-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
技术规格
MOSFET模块配置
半桥
电流, Id 连续
191A
漏源接通状态电阻
8000µohm
针脚数
36引脚
阈值栅源电压最大值
4.4V
工作温度最高值
150°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
1.2kV
晶体管封装类型
PIM
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
556W
产品范围
-
技术文档 (1)
法律与环境
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00001