打印页面

NVTFS5C466NLTAG

功率场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 51 A, 7300 µohm, WDFN, 表面安装

ONSEMI
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
ONSEMI NVTFS5C466NLTAG
制造商ONSEMI
制造商产品编号NVTFS5C466NLTAG
库存编号
复卷2760523RL
切割卷带2760523
您的零件号
技术数据表

Data Sheet

查看所有技术文档
4,750 有货

3,000 您现在可以预订货品了

4750 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
包装选项
包装类型数量单价 (不含增值税):合计
切割卷带1CNY8.920CNY8.92
合计 价钱 (含税) CNY8.92 (CNY10.08)
切割卷带 & 复卷
数量价钱 (含税)
1+CNY8.920 (CNY10.0796)
10+CNY5.830 (CNY6.5879)
100+CNY4.830 (CNY5.4579)
500+CNY4.630 (CNY5.2319)
1000+CNY4.420 (CNY4.9946)
5000+CNY4.340 (CNY4.9042)
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
  • ONSEMI
    制造商ONSEMI
    制造商产品编号NVTFS5C466NLTAG
    库存编号
    复卷2760523RL
    切割卷带2760523
    技术数据表

    Data Sheet

    通道类型N通道
    漏源电压, Vds40V
    电流, Id 连续51A
    漏源接通状态电阻7300µohm
    晶体管封装类型WDFN
    晶体管安装表面安装
    Rds(on)测试电压10V
    阈值栅源电压最大值2.2V
    功率耗散38W
    针脚数8引脚
    工作温度最高值175°C
    产品范围-
    合规AEC-Q101
    湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
    SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
  • 通道类型

    N通道

    电流, Id 连续

    51A

    晶体管封装类型

    WDFN

    Rds(on)测试电压

    10V

    功率耗散

    38W

    工作温度最高值

    175°C

    合规

    AEC-Q101

    SVHC(高度关注物质)

    Lead (27-Jun-2024)

    漏源电压, Vds

    40V

    漏源接通状态电阻

    7300µohm

    晶体管安装

    表面安装

    阈值栅源电压最大值

    2.2V

    针脚数

    8引脚

    产品范围

    -

    湿气敏感性等级

    MSL 1 -无限制

  • 原产地：
    进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：    Malaysia
    进行最后一道重要生产流程所在的地区
    税则号：85412900
    US ECCN:EAR99
    EU ECCN:NLR
    RoHS 合规：Y-Ex

    RoHS

    RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是

    RoHS

    SVHC:Lead (27-Jun-2024)
    下载产品合规证书

    产品合规证书

    重量（千克）：.000569