打印页面
NVTFS003N04CTAG
功率场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 103 A, 2900 µohm, WDFN, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
可订购
制造商标准交货时间：28 周
有货时请通知我
包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY18.970 | CNY18.97 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY18.970 (CNY21.4361) |
| 10+ | CNY12.190 (CNY13.7747) |
| 100+ | CNY8.390 (CNY9.4807) |
| 500+ | CNY6.670 (CNY7.5371) |
| 1000+ | CNY5.920 (CNY6.6896) |
| 5000+ | CNY5.810 (CNY6.5653) |
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NVTFS003N04CTAG复制
库存编号
复卷3131495RL
切割卷带3131495
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds40V
电流, Id 连续103A
漏源接通状态电阻2900µohm
晶体管封装类型WDFN
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3.5V
功率耗散69W
针脚数8引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (25-Jun-2025)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
103A
晶体管封装类型
WDFN
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
69W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
40V
漏源接通状态电阻
2900µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3.5V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0001