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NVR5198NLT1G
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 2.2 A, 0.107 ohm, SOT-23, 表面安装
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| 切割卷带 | 5 | CNY8.000 | CNY40.00 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY8.000 (CNY9.040) |
| 10+ | CNY5.530 (CNY6.2489) |
| 100+ | CNY3.510 (CNY3.9663) |
| 500+ | CNY2.180 (CNY2.4634) |
| 1000+ | CNY1.430 (CNY1.6159) |
| 5000+ | CNY1.410 (CNY1.5933) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NVR5198NLT1G复制
库存编号
复卷2533212RL
切割卷带2533212
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续2.2A
漏源接通状态电阻0.107ohm
晶体管封装类型SOT-23
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.5V
功率耗散1.5W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
警告
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
2.2A
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
1.5W
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
0.107ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.5V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000002