打印页面
NVMYS021N06CLTWG
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 27 A, 0.021 ohm, LFPAK, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
5,508 有货
需要更多？
5508 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY10.520 | CNY10.52 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY10.520 (CNY11.8876) |
| 10+ | CNY6.620 (CNY7.4806) |
| 100+ | CNY4.390 (CNY4.9607) |
| 500+ | CNY3.460 (CNY3.9098) |
| 1000+ | CNY2.760 (CNY3.1188) |
| 5000+ | CNY2.710 (CNY3.0623) |
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
- 制造商ONSEMI制造商产品编号NVMYS021N06CLTWG库存编号复卷3236769RL切割卷带3236769技术数据表通道类型N通道漏源电压, Vds60V电流, Id 连续27A漏源接通状态电阻0.021ohm晶体管封装类型LFPAK晶体管安装表面安装Rds(on)测试电压10V阈值栅源电压最大值2V功率耗散28W针脚数4引脚工作温度最高值175°C产品范围-合规AEC-Q101湿气敏感性等级MSL 1 -无限制SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
- 通道类型
N通道
电流, Id 连续27A
晶体管封装类型LFPAK
Rds(on)测试电压10V
功率耗散28W
工作温度最高值175°C
合规AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds60V
漏源接通状态电阻0.021ohm
晶体管安装表面安装
阈值栅源电压最大值2V
针脚数4引脚
产品范围-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
- 原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区税则号：85412900US ECCN:EAR99EU ECCN:NLRRoHS 合规：Y-ExRoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)下载产品合规证书产品合规证书
重量（千克）：.000212