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NVMFS5C430NLAFT1G
功率场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 200 A, 0.0014 ohm, DFN, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY26.280 | CNY26.28 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY26.280 (CNY29.6964) |
| 10+ | CNY17.220 (CNY19.4586) |
| 100+ | CNY11.960 (CNY13.5148) |
| 500+ | CNY10.370 (CNY11.7181) |
| 1000+ | CNY9.140 (CNY10.3282) |
品項附註
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
200A
晶体管封装类型
DFN
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
110W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
漏源电压, Vds
40V
漏源接通状态电阻
0.0014ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2V
针脚数
5引脚
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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产品合规证书
重量（千克）：.0004