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NVMFD6H852NLT1G
双路场效应管, MOSFET, N通道, 80 V, 80 V, 25 A, 25 A, 0.0255 ohm
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY15.310 | CNY15.31 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY15.310 (CNY17.3003) |
| 10+ | CNY9.600 (CNY10.848) |
| 100+ | CNY6.340 (CNY7.1642) |
| 500+ | CNY5.030 (CNY5.6839) |
| 1000+ | CNY4.470 (CNY5.0511) |
| 5000+ | CNY4.390 (CNY4.9607) |
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产品概述
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技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
80V
连续漏极电流 Id P沟道
25A
漏源导通电阻P沟道
-
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
38W
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
漏源电压Vds N沟道
80V
连续漏极电流 Id N沟道
25A
漏源通态电阻N沟道
0.0255ohm
晶体管封装类型
DFN
耗散功率N沟道
38W
工作温度最高值
175°C
合规
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0007