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NVMFD5C650NLT1G
双路场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 60 V, 111 A, 111 A, 0.0042 ohm
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY54.300 | CNY54.30 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY54.300 (CNY61.359) |
| 10+ | CNY35.880 (CNY40.5444) |
| 100+ | CNY26.150 (CNY29.5495) |
| 500+ | CNY23.980 (CNY27.0974) |
| 1000+ | CNY21.290 (CNY24.0577) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NVMFD5C650NLT1G复制
库存编号
复卷2835606RL
切割卷带2835606
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道60V
漏源电压Vds P沟道60V
连续漏极电流 Id N沟道111A
连续漏极电流 Id P沟道111A
漏源通态电阻N沟道0.0042ohm
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型DFN
针脚数8引脚
耗散功率N沟道125W
耗散功率P沟道125W
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (25-Jun-2025)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
60V
连续漏极电流 Id P沟道
111A
漏源导通电阻P沟道
-
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
125W
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
60V
连续漏极电流 Id N沟道
111A
漏源通态电阻N沟道
0.0042ohm
晶体管封装类型
DFN
耗散功率N沟道
125W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000012