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NVJS4151PT1G

功率场效应管, MOSFET, 沟, P通道, 20 V, 3.2 A, 0.067 ohm, SOT-363, 表面安装

ONSEMI
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ONSEMI NVJS4151PT1G
制造商ONSEMI
制造商产品编号NVJS4151PT1G
库存编号3368860
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  • ONSEMI
    制造商ONSEMI
    制造商产品编号NVJS4151PT1G
    库存编号3368860
    技术数据表

    Data Sheet

    通道类型P通道
    漏源电压, Vds20V
    电流, Id 连续3.2A
    漏源接通状态电阻0.067ohm
    晶体管封装类型SOT-363
    晶体管安装表面安装
    Rds(on)测试电压4.5V
    阈值栅源电压最大值1.2V
    功率耗散1.2W
    针脚数6引脚
    工作温度最高值150°C
    产品范围-
    合规AEC-Q101
    湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
    SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
  • 通道类型

    P通道

    电流, Id 连续

    3.2A

    晶体管封装类型

    SOT-363

    Rds(on)测试电压

    4.5V

    功率耗散

    1.2W

    工作温度最高值

    150°C

    合规

    AEC-Q101

    SVHC(高度关注物质)

    No SVHC (25-Jun-2025)

    漏源电压, Vds

    20V

    漏源接通状态电阻

    0.067ohm

    晶体管安装

    表面安装

    阈值栅源电压最大值

    1.2V

    针脚数

    6引脚

    产品范围

    -

    湿气敏感性等级

    MSL 1 -无限制

  • 原产地：
    进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：    China
    进行最后一道重要生产流程所在的地区
    税则号：85412900
    US ECCN:EAR99
    EU ECCN:NLR
    RoHS 合规：是

    RoHS

    RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是

    RoHS

    SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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    产品合规证书

    重量（千克）：.0004