打印页面
NVH4L080N120SC1
碳化硅MOSFET, EliteSiC, 单, N通道, 29 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
891 有货
需要更多？
20 件可于 3-4 个工作日内送达(新加坡 库存)
871 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY133.790 (CNY151.1827) |
| 5+ | CNY120.410 (CNY136.0633) |
| 10+ | CNY113.270 (CNY127.9951) |
| 50+ | CNY105.250 (CNY118.9325) |
| 100+ | CNY98.110 (CNY110.8643) |
| 250+ | CNY94.540 (CNY106.8302) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
CNY133.79 (CNY151.18 含税)
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NVH4L080N120SC1
库存编号3464024
产品范围EliteSiC Series
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续29A
漏源电压, Vds1.2kV
漏源接通状态电阻0.08ohm
晶体管封装类型TO-247
针脚数4引脚
Rds(on)测试电压20V
阈值栅源电压最大值2.75V
功率耗散170W
工作温度最高值175°C
产品范围EliteSiC Series
SVHC(高度关注物质)Lead (25-Jun-2025)
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
29A
漏源接通状态电阻
0.08ohm
针脚数
4引脚
阈值栅源电压最大值
2.75V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
1.2kV
晶体管封装类型
TO-247
Rds(on)测试电压
20V
功率耗散
170W
产品范围
EliteSiC Series
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.009684