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NVH4L070N120M3S
碳化硅MOSFET, N通道, 29 A, 1.2 kV, 0.0648 ohm, TO-247
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NVH4L070N120M3S复制
制造商标准货期27 周
库存编号4143116
技术数据表
MOSFET模块配置-
通道类型N通道
电流, Id 连续29A
漏源电压, Vds1.2kV
漏源接通状态电阻0.0648ohm
晶体管封装类型TO-247
针脚数4引脚
Rds(on)测试电压18V
阈值栅源电压最大值3.37V
功率耗散163W
工作温度最高值175°C
产品范围-
技术规格
MOSFET模块配置
-
电流, Id 连续
29A
漏源接通状态电阻
0.0648ohm
针脚数
4引脚
阈值栅源电压最大值
3.37V
工作温度最高值
175°C
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
1.2kV
晶体管封装类型
TO-247
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
163W
产品范围
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00831