打印页面
NVH4L040N120M3S
碳化硅MOSFET, N通道, 44 A, 1.2 kV, 0.0408 ohm, TO-247
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
可订购
制造商标准交货时间：26 周
有货时请通知我
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY148.800 (CNY168.144) |
| 5+ | CNY121.230 (CNY136.9899) |
| 10+ | CNY93.560 (CNY105.7228) |
| 50+ | CNY93.290 (CNY105.4177) |
| 100+ | CNY93.010 (CNY105.1013) |
| 250+ | CNY92.740 (CNY104.7962) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
CNY148.80 (CNY168.14 含税)
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NVH4L040N120M3S复制
制造商标准货期26 周
库存编号4143113
技术数据表
MOSFET模块配置-
通道类型N通道
电流, Id 连续44A
漏源电压, Vds1.2kV
漏源接通状态电阻0.0408ohm
晶体管封装类型TO-247
针脚数4引脚
Rds(on)测试电压18V
阈值栅源电压最大值3.22V
功率耗散235W
工作温度最高值175°C
产品范围-
SVHC(高度关注物质)Lead (25-Jun-2025)
技术规格
MOSFET模块配置
-
电流, Id 连续
44A
漏源接通状态电阻
0.0408ohm
针脚数
4引脚
阈值栅源电压最大值
3.22V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
1.2kV
晶体管封装类型
TO-247
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
235W
产品范围
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00831