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NVH4L040N120M3S-IE
碳化硅MOSFET, 单, N通道, 54 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
制造商ONSEMI
制造商产品编号NVH4L040N120M3S-IE复制
制造商标准货期7 周
库存编号4854145
产品范围EliteSiC Series
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY140.180 (CNY158.4034) |
| 5+ | CNY122.010 (CNY137.8713) |
| 10+ | CNY103.790 (CNY117.2827) |
| 50+ | CNY99.370 (CNY112.2881) |
| 100+ | CNY98.780 (CNY111.6214) |
| 250+ | CNY96.810 (CNY109.3953) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NVH4L040N120M3S-IE复制
制造商标准货期7 周
库存编号4854145
产品范围EliteSiC Series
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续54A
漏源电压, Vds1.2kV
漏源接通状态电阻0.04ohm
晶体管封装类型TO-247
针脚数4引脚
Rds(on)测试电压18V
阈值栅源电压最大值2.9V
功率耗散231W
工作温度最高值175°C
产品范围EliteSiC Series
SVHC(高度关注物质)Lead (04-Feb-2026)
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
54A
漏源接通状态电阻
0.04ohm
针脚数
4引脚
阈值栅源电压最大值
2.9V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
Lead (04-Feb-2026)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
1.2kV
晶体管封装类型
TO-247
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
231W
产品范围
EliteSiC Series
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.01