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NVH4L025N065SC1
碳化硅MOSFET, N通道, 99 A, 650 V, 0.0285 ohm, TO-247
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NVH4L025N065SC1复制
制造商标准货期24 周
库存编号4143111
技术数据表
MOSFET模块配置-
通道类型N通道
电流, Id 连续99A
漏源电压, Vds650V
漏源接通状态电阻0.0285ohm
晶体管封装类型TO-247
Rds(on)测试电压18V
阈值栅源电压最大值4.3V
功率耗散348W
工作温度最高值175°C
产品范围-
技术规格
MOSFET模块配置
-
电流, Id 连续
99A
漏源接通状态电阻
0.0285ohm
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
348W
产品范围
-
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
650V
晶体管封装类型
TO-247
阈值栅源电压最大值
4.3V
工作温度最高值
175°C
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00826