打印页面
NVH4L022N120M3S
场效应管, MOSFET, N沟道, 1.2KV, 68A, TO-247
70 有货
需要更多？
70 件可于 5-6 个工作日内送达(美国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY261.380 (CNY295.3594) |
| 5+ | CNY246.860 (CNY278.9518) |
| 10+ | CNY232.340 (CNY262.5442) |
| 50+ | CNY217.820 (CNY246.1366) |
| 100+ | CNY203.300 (CNY229.729) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
CNY261.38 (CNY295.36 含税)
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NVH4L022N120M3S复制
库存编号4130207
技术数据表
MOSFET模块配置Single
通道类型N Channel
漏源接通状态电阻0.022ohm
晶体管封装类型TO-247
Rds(on)测试电压18V
技术规格
MOSFET模块配置
Single
漏源接通状态电阻
0.022ohm
Rds(on)测试电压
18V
通道类型
N Channel
晶体管封装类型
TO-247
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.008407