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NVD5C668NLT4G
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 49 A, 0.0089 ohm, TO-252 (DPAK), 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY22.090 | CNY22.09 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY22.090 (CNY24.9617) |
| 10+ | CNY14.100 (CNY15.933) |
| 100+ | CNY9.600 (CNY10.848) |
| 500+ | CNY8.010 (CNY9.0513) |
| 1000+ | CNY7.210 (CNY8.1473) |
| 5000+ | CNY6.960 (CNY7.8648) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NVD5C668NLT4G
库存编号
复卷2760516RL
切割卷带2760516
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续49A
漏源接通状态电阻0.0089ohm
晶体管封装类型TO-252 (DPAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.1V
功率耗散44W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (25-Jun-2025)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
49A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
44W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
0.0089ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.1V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Vietnam
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Vietnam
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000426