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NVD5117PLT4G-VF01
功率场效应管, MOSFET, P通道, 60 V, 61 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY27.880 | CNY27.88 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY27.880 (CNY31.5044) |
| 10+ | CNY17.220 (CNY19.4586) |
| 100+ | CNY12.720 (CNY14.3736) |
| 500+ | CNY12.470 (CNY14.0911) |
| 1000+ | CNY12.220 (CNY13.8086) |
品項附註
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NVD5117PLT4G-VF01
库存编号
复卷3368857RL
切割卷带3368857
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续61A
漏源接通状态电阻0.012ohm
晶体管封装类型TO-252 (DPAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.5V
功率耗散118W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (25-Jun-2025)
产品概述
NVD5117PLT4G-VF01 is a single, P-channel, power MOSFET.
- Low RDS(on) to minimize conduction losses
- High current capability, avalanche energy specified
- AEC-Q101 qualified
- Continuous drain current is -61A at (TC = 25°C)
- Drain-to-source breakdown voltage is -60V minimum at (VGS = 0V, ID = -250µA)
- Gate-to-source leakage current is 100nA maximum at (VDS = 0V, VGS = 20V)
- Drain-to-source on resistance is 12mohm typical at (VGS = -10V, ID = -29A)
- Turn-on delay time is 22ns typical at (VGS = -4.5V, VDS = -48V, ID = -29A, RG = 2.5 ohm)
- Rise time is 195ns typical at (VGS = -4.5V, VDS = -48V, ID = -29A, RG = 2.5 ohm)
- Junction temperature range from -55°C to 175°C, DPAK package
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
61A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
118W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
0.012ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.5V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Vietnam
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Vietnam
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0004