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制造商ONSEMI
制造商产品编号NVBG160N120SC1
库存编号
整卷4130211
复卷3528515RL
切割卷带3528515
产品范围EliteSiC Series
您的零件号
1,754 有货
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 复卷 | 1 | CNY144.210 | CNY144.21 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY144.210 (CNY162.9573) |
| 10+ | CNY100.960 (CNY114.0848) |
| 50+ | CNY93.940 (CNY106.1522) |
| 100+ | CNY86.890 (CNY98.1857) |
| 250+ | CNY85.150 (CNY96.2195) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY83.470 (CNY94.3211) |
品項附註
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NVBG160N120SC1
库存编号
整卷4130211
复卷3528515RL
切割卷带3528515
产品范围EliteSiC Series
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续19.5A
漏源电压, Vds1.2kV
漏源接通状态电阻0.16ohm
晶体管封装类型TO-263HV (D2PAK)
针脚数7引脚
Rds(on)测试电压20V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散136W
工作温度最高值175°C
产品范围EliteSiC Series
湿气敏感性等级MSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)Lead (25-Jun-2025)
产品概述
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
19.5A
漏源接通状态电阻
0.16ohm
针脚数
7引脚
阈值栅源电压最大值
3V
工作温度最高值
175°C
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
1.2kV
晶体管封装类型
TO-263HV (D2PAK)
Rds(on)测试电压
20V
功率耗散
136W
产品范围
EliteSiC Series
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
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法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.002088
