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NVBG080N120SC1
碳化硅场效应管, MOSFET, N沟道, 1.2KV, 30A, TO-263高电压-7
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|---|---|
| 1+ | CNY177.120 (CNY200.1456) |
| 5+ | CNY159.410 (CNY180.1333) |
| 10+ | CNY149.960 (CNY169.4548) |
| 50+ | CNY139.330 (CNY157.4429) |
| 100+ | CNY129.890 (CNY146.7757) |
| 250+ | CNY125.160 (CNY141.4308) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NVBG080N120SC1
库存编号4382111
产品范围EliteSiC Series
技术数据表
MOSFET模块配置Single
通道类型N Channel
电流, Id 连续30A
漏源电压, Vds1.2kV
漏源接通状态电阻0.08ohm
晶体管封装类型TO-263HV (D2PAK)
针脚数7引脚
Rds(on)测试电压20V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散179W
工作温度最高值175°C
产品范围EliteSiC Series
SVHC(高度关注物质)Lead
技术规格
MOSFET模块配置
Single
电流, Id 连续
30A
漏源接通状态电阻
0.08ohm
针脚数
7引脚
阈值栅源电压最大值
3V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
Lead
通道类型
N Channel
漏源电压, Vds
1.2kV
晶体管封装类型
TO-263HV (D2PAK)
Rds(on)测试电压
20V
功率耗散
179W
产品范围
EliteSiC Series
技术文档 (1)
法律与环境
税则号：0
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000907