打印页面
NVBG040N120M3S
碳化硅MOSFET, N通道, 49 A, 1.2 kV, 0.0405 ohm, D2PAK-7L
可订购
制造商标准交货时间：26 周
有货时请通知我
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY144.940 (CNY163.7822) |
| 5+ | CNY124.350 (CNY140.5155) |
| 10+ | CNY103.770 (CNY117.2601) |
| 50+ | CNY98.530 (CNY111.3389) |
| 100+ | CNY93.200 (CNY105.316) |
| 250+ | CNY91.360 (CNY103.2368) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
CNY144.94 (CNY163.78 含税)
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NVBG040N120M3S复制
制造商标准货期26 周
库存编号4143110
技术数据表
MOSFET模块配置-
通道类型N通道
电流, Id 连续49A
漏源电压, Vds1.2kV
漏源接通状态电阻0.0405ohm
晶体管封装类型D2PAK-7L
针脚数7引脚
Rds(on)测试电压18V
阈值栅源电压最大值3.22V
功率耗散297W
工作温度最高值175°C
SVHC(高度关注物质)Lead (25-Jun-2025)
技术规格
MOSFET模块配置
-
电流, Id 连续
49A
漏源接通状态电阻
0.0405ohm
针脚数
7引脚
阈值栅源电压最大值
3.22V
工作温度最高值
175°C
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
1.2kV
晶体管封装类型
D2PAK-7L
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
297W
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00831