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NVBG040N120M3S-IE
碳化硅MOSFET, 单, N通道, 57 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, D2PAK
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
制造商ONSEMI
制造商产品编号NVBG040N120M3S-IE复制
制造商标准货期7 周
库存编号4854143
产品范围EliteSiC Series
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY146.080 (CNY165.0704) |
| 5+ | CNY125.300 (CNY141.589) |
| 10+ | CNY104.510 (CNY118.0963) |
| 50+ | CNY99.230 (CNY112.1299) |
| 100+ | CNY93.940 (CNY106.1522) |
| 250+ | CNY92.070 (CNY104.0391) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
CNY146.08 (CNY165.07 含税)
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NVBG040N120M3S-IE复制
制造商标准货期7 周
库存编号4854143
产品范围EliteSiC Series
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续57A
漏源电压, Vds1.2kV
漏源接通状态电阻0.04ohm
晶体管封装类型D2PAK
针脚数7引脚
Rds(on)测试电压18V
阈值栅源电压最大值2.9V
功率耗散263W
工作温度最高值175°C
产品范围EliteSiC Series
SVHC(高度关注物质)No SVHC (04-Feb-2026)
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
57A
漏源接通状态电阻
0.04ohm
针脚数
7引脚
阈值栅源电压最大值
2.9V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
1.2kV
晶体管封装类型
D2PAK
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
263W
产品范围
EliteSiC Series
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.01