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NVBG025N065SC1
碳化硅MOSFET, EliteSiC, N通道, 106 A, 650 V, 0.0285 ohm, D2PAK-7L
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| 5+ | CNY155.700 (CNY175.941) |
| 10+ | CNY142.280 (CNY160.7764) |
| 50+ | CNY142.180 (CNY160.6634) |
| 100+ | CNY142.090 (CNY160.5617) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NVBG025N065SC1复制
制造商标准货期25 周
库存编号4143109
技术数据表
MOSFET模块配置-
通道类型N通道
电流, Id 连续106A
漏源电压, Vds650V
漏源接通状态电阻0.0285ohm
晶体管封装类型D2PAK-7L
针脚数7引脚
Rds(on)测试电压18V
阈值栅源电压最大值4.3V
功率耗散395W
工作温度最高值175°C
产品范围-
SVHC(高度关注物质)Lead (25-Jun-2025)
技术规格
MOSFET模块配置
-
电流, Id 连续
106A
漏源接通状态电阻
0.0285ohm
针脚数
7引脚
阈值栅源电压最大值
4.3V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
650V
晶体管封装类型
D2PAK-7L
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
395W
产品范围
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0019