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NVBG022N120M3S
碳化硅MOSFET, EliteSiC, 单, N通道, 58 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, TO-263HV (D2PAK)
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
制造商ONSEMI
制造商产品编号NVBG022N120M3S复制
库存编号
复卷4036823RL
切割卷带4036823
产品范围EliteSiC Series
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY220.640 | CNY220.64 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY220.640 (CNY249.3232) |
| 5+ | CNY190.760 (CNY215.5588) |
| 10+ | CNY160.870 (CNY181.7831) |
| 50+ | CNY157.830 (CNY178.3479) |
| 100+ | CNY154.790 (CNY174.9127) |
| 250+ | CNY151.700 (CNY171.421) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NVBG022N120M3S复制
库存编号
复卷4036823RL
切割卷带4036823
产品范围EliteSiC Series
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续58A
漏源电压, Vds1.2kV
漏源接通状态电阻0.022ohm
晶体管封装类型TO-263HV (D2PAK)
针脚数7引脚
Rds(on)测试电压18V
阈值栅源电压最大值2.72V
功率耗散234W
工作温度最高值175°C
产品范围EliteSiC Series
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (25-Jun-2025)
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
58A
漏源接通状态电阻
0.022ohm
针脚数
7引脚
阈值栅源电压最大值
2.72V
工作温度最高值
175°C
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
1.2kV
晶体管封装类型
TO-263HV (D2PAK)
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
234W
产品范围
EliteSiC Series
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0007