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NVBG022N120M3S-IE
碳化硅MOSFET, 单, N通道, 100 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, D2PAK
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|---|---|
| 1+ | CNY201.500 (CNY227.695) |
| 5+ | CNY174.200 (CNY196.846) |
| 10+ | CNY146.890 (CNY165.9857) |
| 50+ | CNY144.110 (CNY162.8443) |
| 100+ | CNY141.320 (CNY159.6916) |
| 250+ | CNY138.500 (CNY156.505) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NVBG022N120M3S-IE复制
库存编号4854141
产品范围EliteSiC Series
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续100A
漏源电压, Vds1.2kV
漏源接通状态电阻0.022ohm
晶体管封装类型D2PAK
针脚数7引脚
Rds(on)测试电压18V
阈值栅源电压最大值2.72V
功率耗散441W
工作温度最高值175°C
产品范围EliteSiC Series
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
100A
漏源接通状态电阻
0.022ohm
针脚数
7引脚
阈值栅源电压最大值
2.72V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
1.2kV
晶体管封装类型
D2PAK
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
441W
产品范围
EliteSiC Series
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.01