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NVBG020N090SC1
碳化硅MOSFET, EliteSiC, 单, N通道, 112 A, 900 V, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK)
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
制造商ONSEMI
制造商产品编号NVBG020N090SC1
库存编号
复卷3367862RL
切割卷带3367862
产品范围EliteSiC Series
您的零件号
441 有货
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441 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY254.970 | CNY254.97 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY254.970 (CNY288.1161) |
| 5+ | CNY229.840 (CNY259.7192) |
| 10+ | CNY204.700 (CNY231.311) |
| 50+ | CNY204.160 (CNY230.7008) |
| 100+ | CNY203.620 (CNY230.0906) |
品項附註
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NVBG020N090SC1
库存编号
复卷3367862RL
切割卷带3367862
产品范围EliteSiC Series
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续112A
漏源电压, Vds900V
漏源接通状态电阻0.02ohm
晶体管封装类型TO-263 (D2PAK)
针脚数7引脚
Rds(on)测试电压15V
阈值栅源电压最大值2.6V
功率耗散477W
工作温度最高值175°C
产品范围EliteSiC Series
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (25-Jun-2025)
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
112A
漏源接通状态电阻
0.02ohm
针脚数
7引脚
阈值栅源电压最大值
2.6V
工作温度最高值
175°C
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
900V
晶体管封装类型
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)测试电压
15V
功率耗散
477W
产品范围
EliteSiC Series
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0004