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NTZD3155CT2G
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY2.980 | CNY14.90 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY2.980 (CNY3.3674) |
| 10+ | CNY1.850 (CNY2.0905) |
| 100+ | CNY1.170 (CNY1.3221) |
| 500+ | CNY0.854 (CNY0.965) |
| 1000+ | CNY0.534 (CNY0.6034) |
| 5000+ | CNY0.524 (CNY0.5921) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTZD3155CT2G复制
库存编号
复卷2724460RL
切割卷带2724460
技术数据表
通道类型互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道20V
漏源电压Vds P沟道20V
连续漏极电流 Id N沟道540mA
连续漏极电流 Id P沟道540mA
漏源通态电阻N沟道0.4ohm
漏源导通电阻P沟道0.4ohm
晶体管封装类型SOT-563
针脚数6引脚
耗散功率N沟道250mW
耗散功率P沟道250mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id P沟道
540mA
漏源导通电阻P沟道
0.4ohm
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
250mW
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
540mA
漏源通态电阻N沟道
0.4ohm
晶体管封装类型
SOT-563
耗散功率N沟道
250mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000302