打印页面
NTTFD4D0N04HLTWG
双路场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 40 V, 60 A, 60 A, 0.0045 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
2,840 有货
需要更多？
2,840 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY21.710 | CNY21.71 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY21.710 (CNY24.5323) |
| 10+ | CNY14.020 (CNY15.8426) |
| 100+ | CNY9.600 (CNY10.848) |
| 500+ | CNY7.930 (CNY8.9609) |
| 1000+ | CNY6.760 (CNY7.6388) |
| 5000+ | CNY6.630 (CNY7.4919) |
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTTFD4D0N04HLTWG复制
库存编号
复卷3464013RL
切割卷带3464013
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道40V
漏源电压Vds P沟道40V
连续漏极电流 Id N沟道60A
连续漏极电流 Id P沟道60A
漏源通态电阻N沟道0.0045ohm
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型WQFN
针脚数12引脚
耗散功率N沟道26W
耗散功率P沟道26W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (25-Jun-2025)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
40V
连续漏极电流 Id P沟道
60A
漏源导通电阻P沟道
-
针脚数
12引脚
耗散功率P沟道
26W
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
40V
连续漏极电流 Id N沟道
60A
漏源通态电阻N沟道
0.0045ohm
晶体管封装类型
WQFN
耗散功率N沟道
26W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000024