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NTS2101PT1G
功率场效应管, MOSFET, P通道, 8 V, 1.4 A, 0.1 ohm, SOT-323, 表面安装
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY2.850 | CNY2.85 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY2.850 (CNY3.2205) |
| 50+ | CNY2.340 (CNY2.6442) |
| 100+ | CNY1.820 (CNY2.0566) |
| 500+ | CNY1.380 (CNY1.5594) |
| 1500+ | CNY1.350 (CNY1.5255) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 3000+ | CNY1.320 (CNY1.4916) |
| 9000+ | CNY1.300 (CNY1.469) |
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产品概述
The NTS2101PT1G is a P-channel Power MOSFET offers -8V drain source voltage and -1.4A continuous drain current. It is suitable for high side load switch, charging circuit, single cell battery applications such as cell phones, digital cameras and PDAs.
- Leading Trench technology for low RDS (ON) extending battery life
- -1.8V Rated for low voltage gate drive
- Surface-mount for small footprint (2 x 2mm)
- -55 to 150°C Operating junction temperature range
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
1.4A
晶体管封装类型
SOT-323
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
290mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
8V
漏源接通状态电阻
0.1ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
700mV
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000005