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NTS2101PT1G

功率场效应管, MOSFET, P通道, 8 V, 1.4 A, 0.1 ohm, SOT-323, 表面安装

ONSEMI
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
ONSEMI NTS2101PT1G
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTS2101PT1G
库存编号
复卷1453612RL
切割卷带1453612
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合计 价钱 (含税) CNY11.65 (CNY13.16)
切割卷带 & 复卷
数量价钱 (含税)
5+CNY2.330 (CNY2.6329)
50+CNY1.980 (CNY2.2374)
100+CNY1.640 (CNY1.8532)
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  • ONSEMI
    制造商ONSEMI
    制造商产品编号NTS2101PT1G
    库存编号
    复卷1453612RL
    切割卷带1453612
    技术数据表

    Data Sheet

    通道类型P通道
    漏源电压, Vds8V
    电流, Id 连续1.4A
    漏源接通状态电阻0.1ohm
    晶体管封装类型SOT-323
    晶体管安装表面安装
    Rds(on)测试电压4.5V
    阈值栅源电压最大值700mV
    功率耗散290mW
    针脚数3引脚
    工作温度最高值150°C
    产品范围-
    合规-
    湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
    SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)

  • The NTS2101PT1G is a P-channel Power MOSFET offers -8V drain source voltage and -1.4A continuous drain current. It is suitable for high side load switch, charging circuit, single cell battery applications such as cell phones, digital cameras and PDAs.

    • Leading Trench technology for low RDS (ON) extending battery life
    • -1.8V Rated for low voltage gate drive
    • Surface-mount for small footprint (2 x 2mm)
    • -55 to 150°C Operating junction temperature range
  • 通道类型

    P通道

    电流, Id 连续

    1.4A

    晶体管封装类型

    SOT-323

    Rds(on)测试电压

    4.5V

    功率耗散

    290mW

    工作温度最高值

    150°C

    合规

    -

    SVHC(高度关注物质)

    No SVHC (25-Jun-2025)

    漏源电压, Vds

    8V

    漏源接通状态电阻

    0.1ohm

    晶体管安装

    表面安装

    阈值栅源电压最大值

    700mV

    针脚数

    3引脚

    产品范围

    -

    湿气敏感性等级

    MSL 1 -无限制

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  • 原产地：
    进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：    China
    进行最后一道重要生产流程所在的地区
    税则号：85412900
    US ECCN:EAR99
    EU ECCN:NLR
    RoHS 合规：是

    RoHS

    RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是

    RoHS

    SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
    下载产品合规证书

    产品合规证书

    重量（千克）：.000005