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NTR5198NLT1G
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 2.2 A, 0.107 ohm, SOT-23, 表面安装
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制造商标准交货时间：27 周
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY4.870 (CNY5.5031) |
| 10+ | CNY3.410 (CNY3.8533) |
| 100+ | CNY2.170 (CNY2.4521) |
| 500+ | CNY1.340 (CNY1.5142) |
| 1000+ | CNY0.980 (CNY1.1074) |
| 5000+ | CNY0.961 (CNY1.0859) |
包装规格：每个
最低: 5
多件: 5
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产品概述
NTR5198NLT1G是一款N沟道功率MOSFET，提供60V漏源电压和2.2A连续漏电流。它具有低RDS (ON)，可实现低传导损耗并提高效率。
- 小尺寸表面安装封装
- 无卤素
- 工作结温范围: -55到150°C
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
2.2A
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
1.5W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
0.107ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.5V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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找到 1 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000454