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NTR4170NT1G
功率场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 2.4 A, 0.055 ohm, SOT-23, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY5.060 | CNY25.30 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY5.060 (CNY5.7178) |
| 50+ | CNY4.140 (CNY4.6782) |
| 100+ | CNY3.210 (CNY3.6273) |
| 500+ | CNY1.480 (CNY1.6724) |
| 1500+ | CNY1.450 (CNY1.6385) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 3000+ | CNY1.420 (CNY1.6046) |
| 9000+ | CNY1.400 (CNY1.582) |
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产品概述
NTR4170NT1G 是一款N沟道功率MOSFET, 30V漏-源极电压, 2.4A连续漏极电流。适用于便携式应用, 电源转换器, 电池管理, 负载/电源开关应用。
- 低RDS (ON)
- 低栅极电荷
- 低阈值电压
- -55至150°C 工作结温范围
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
2.4A
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
480mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
0.055ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000002