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NTR4101PT1G
功率场效应管, MOSFET, P通道, 20 V, 3.2 A, 0.085 ohm, SOT-23, 表面安装
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 100 | CNY1.330 | CNY133.00 |
切割卷带
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 100+ | CNY1.330 (CNY1.5029) |
| 500+ | CNY0.875 (CNY0.9888) |
| 1500+ | CNY0.858 (CNY0.9695) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 3000+ | CNY0.430 (CNY0.4859) |
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产品概述
The NTR4101PT1G is a P-channel Trench Power MOSFET offers -20V drain source voltage and -2.4A continuous drain current. It is suitable for charging circuits and battery protection, load management for portables and computing applications.
- Leading -20V Trench for low RDS (ON)
- -1.8V Rated for low voltage gate drive
- Surface-mount for small footprint
- Halogen-free
- -55 to 150°C Operating junction temperature range
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
3.2A
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
730mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
0.085ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
720mV
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000045