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NTR1P02T1G
功率场效应管, MOSFET, P通道, 20 V, 1 A, 0.18 ohm, SOT-23, 表面安装
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY2.290 | CNY11.45 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY2.290 (CNY2.5877) |
| 50+ | CNY1.880 (CNY2.1244) |
| 100+ | CNY1.460 (CNY1.6498) |
| 500+ | CNY0.973 (CNY1.0995) |
| 1500+ | CNY0.954 (CNY1.078) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTR1P02T1G
库存编号
复卷2317617RL
切割卷带2317617
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds20V
电流, Id 连续1A
漏源接通状态电阻0.18ohm
晶体管封装类型SOT-23
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1.9V
功率耗散400mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
NTR1P02T1G是一款P沟道功率MOSFET，具有超低的导通电阻，提供更高的效率并延长电池寿命。
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
1A
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
400mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
0.18ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.9V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
NTR1P02T1G 的替代之选
找到 2 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000033