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| 10+ | CNY46.390 (CNY52.4207) |
| 100+ | CNY35.130 (CNY39.6969) |
| 500+ | CNY31.610 (CNY35.7193) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTMT061N60S5H复制
库存编号4843820
产品范围SUPERFET Series
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds600V
电流, Id 连续41A
漏源接通状态电阻0.061ohm
晶体管封装类型TDFN
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4.3V
功率耗散250W
针脚数4引脚
工作温度最高值150°C
产品范围SUPERFET Series
合规-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
41A
晶体管封装类型
TDFN
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
250W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
600V
漏源接通状态电阻
0.061ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4.3V
针脚数
4引脚
产品范围
SUPERFET Series
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.001
