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NTMT045N065SC1
碳化硅MOSFET, EliteSiC, 单, N通道, 39 A, 650 V, 0.033 ohm, TDFN
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTMT045N065SC1
库存编号
复卷4079792RL
切割卷带4079792
产品范围EliteSiC Series
您的零件号
1,134 有货
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY132.270 | CNY661.35 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY132.270 (CNY149.4651) |
| 50+ | CNY123.430 (CNY139.4759) |
| 100+ | CNY114.560 (CNY129.4528) |
| 500+ | CNY107.010 (CNY120.9213) |
| 1500+ | CNY104.880 (CNY118.5144) |
品項附註
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTMT045N065SC1
库存编号
复卷4079792RL
切割卷带4079792
产品范围EliteSiC Series
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续39A
漏源电压, Vds650V
漏源接通状态电阻0.033ohm
晶体管封装类型TDFN
针脚数4引脚
Rds(on)测试电压18V
阈值栅源电压最大值4.3V
功率耗散187W
工作温度最高值175°C
产品范围EliteSiC Series
SVHC(高度关注物质)Lead (25-Jun-2025)
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
39A
漏源接通状态电阻
0.033ohm
针脚数
4引脚
阈值栅源电压最大值
4.3V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
650V
晶体管封装类型
TDFN
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
187W
产品范围
EliteSiC Series
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001