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NTMFWS1D5N08XT1G
功率场效应管, MOSFET, N通道, 80 V, 253 A, 1430 µohm, DFNW-EP, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY32.760 | CNY32.76 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY32.760 (CNY37.0188) |
| 10+ | CNY21.430 (CNY24.2159) |
| 100+ | CNY16.000 (CNY18.080) |
| 500+ | CNY15.680 (CNY17.7184) |
| 1000+ | CNY15.360 (CNY17.3568) |
品項附註
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
253A
晶体管封装类型
DFNW-EP
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
194W
工作温度最高值
175°C
合规
-
漏源电压, Vds
80V
漏源接通状态电阻
1430µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3.6V
针脚数
4引脚
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
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产品合规证书
重量（千克）：.00001