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NTMFS5C670NLT1G
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 71 A, 6100 µohm, DFN, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY9.250 | CNY9.25 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY9.250 (CNY10.4525) |
| 10+ | CNY5.800 (CNY6.554) |
| 50+ | CNY3.790 (CNY4.2827) |
| 200+ | CNY3.370 (CNY3.8081) |
| 500+ | CNY2.940 (CNY3.3222) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTMFS5C670NLT1G
库存编号
复卷2508376RL
切割卷带2508376
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续71A
漏源接通状态电阻6100µohm
晶体管封装类型DFN
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2V
功率耗散61W
针脚数5引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (25-Jun-2025)
产品概述
NTMFS5C670NLT1G is a single N-channel power MOSFET. It has low RDS(on) to minimize conduction losses and low QG and capacitance to minimize driver losses.
- Continuous drain current is 71A
- Power dissipation is 61W at (TC = 25°C)
- Drain-to-source breakdown voltage is 60V minimum at (VGS = 0V, ID = 250µA)
- Gate-to-source leakage current is 100nA maximum at (VDS = 0V, VGS = 20V)
- Threshold temperature coefficient is -4.7mV/°C typical at (TJ = 25°C)
- Input capacitance is 1400pF typical at (VGS = 0V, f = 1MHz, VDS = 25V)
- Turn-on delay time is 11ns typical at (VGS = 4.5V, VDS = 30V, ID = 35A, RG = 2.5 ohm)
- Rise time is 60ns typical at (VGS = 4.5V, VDS = 30V, ID = 35A, RG = 2.5 ohm)
- Zero gate voltage drain current is 10µA maximum at (TJ = 25°C)
- Junction temperature range from -55°C to +175°C, DFN5 package
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
71A
晶体管封装类型
DFN
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
61W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
6100µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2V
针脚数
5引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001