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NTMFS5C426NT1G
功率场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 235 A, 1100 µohm, DFN, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY9.670 | CNY9.67 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY9.670 (CNY10.9271) |
| 10+ | CNY7.340 (CNY8.2942) |
| 100+ | CNY5.760 (CNY6.5088) |
| 500+ | CNY5.010 (CNY5.6613) |
| 1500+ | CNY4.220 (CNY4.7686) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTMFS5C426NT1G
库存编号
复卷2677178RL
切割卷带2677178
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds40V
电流, Id 连续235A
漏源接通状态电阻1100µohm
晶体管封装类型DFN
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3.5V
功率耗散128W
针脚数5引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (25-Jun-2025)
产品概述
NTMFS5C426NT1G is a single N-channel power MOSFET. It has low RDS(on) to minimize conduction losses and low QG and capacitance to minimize driver losses.
- Continuous drain current is 235A at (TC = 25°C)
- Drain-to-source breakdown voltage is 40V minimum at (VGS = 0V, ID = 250µA)
- Zero gate voltage drain current is 10µA maximum at (TJ = 25°C)
- Gate-to-source leakage current is 100nA maximum at (VDS = 0V, VGS = 20V)
- Threshold temperature coefficient is -8.6mV/°C typical at (TJ = 25°C)
- Drain-to-source on resistance is 1.1mohm typical at (VGS = 10V, ID = 50A)
- Input capacitance is 4300pF typical at (VGS = 0V, f = 1MHz, VDS = 25V)
- Turn-on delay time is 15ns typical at (VGS = 10V, VDS = 20V, ID = 50A, RG = 2.5 ohm)
- Rise time is 47ns typical at (VGS = 10V, VDS = 20V, ID = 50A, RG = 2.5 ohm)
- Junction temperature range from -55°C to +175°C, DFN5 package
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
235A
晶体管封装类型
DFN
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
128W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
40V
漏源接通状态电阻
1100µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3.5V
针脚数
5引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000148