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NTMFS4D7N04XMT1G
功率场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 66 A, 4700 µohm, DFN, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY7.390 (CNY8.3507) |
| 10+ | CNY4.590 (CNY5.1867) |
| 100+ | CNY3.000 (CNY3.390) |
| 500+ | CNY2.310 (CNY2.6103) |
| 1000+ | CNY2.270 (CNY2.5651) |
| 5000+ | CNY2.220 (CNY2.5086) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
CNY7.39 (CNY8.35 含税)
品項附註
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
66A
晶体管封装类型
DFN
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
38W
工作温度最高值
175°C
合规
-
漏源电压, Vds
40V
漏源接通状态电阻
4700µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3.5V
针脚数
5引脚
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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产品合规证书
重量（千克）：.000001