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NTMFS011N15MC
功率场效应管, MOSFET, N通道, 150 V, 78 A, 9000 µohm, PQFN, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY104.760 | CNY104.76 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY104.760 (CNY118.3788) |
| 5+ | CNY89.120 (CNY100.7056) |
| 10+ | CNY73.480 (CNY83.0324) |
| 50+ | CNY69.300 (CNY78.309) |
| 100+ | CNY65.110 (CNY73.5743) |
| 250+ | CNY63.810 (CNY72.1053) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTMFS011N15MC
库存编号
复卷3528504RL
切割卷带3528504
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds150V
电流, Id 连续78A
漏源接通状态电阻9000µohm
晶体管封装类型PQFN
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3.35V
功率耗散147W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (25-Jun-2025)
产品概述
NTMFS011N15MC 是一款 N 沟道功率 MOSFET。典型应用包括同步整流、AC-DC 和 DC-DC 电源、AC-DC 适配器（USB PD）SR、负载开关。
- 占地面积小（5 x 6mm），设计紧凑
- 低 RDS(on)，可将传导损耗降至最低
- 低QG和电容, 降低驱动器损耗
- 漏源击穿电压为 150V
- 栅极至源极电压为 ±20V
- 在TA = 25°C 时，连续漏极电流为 10.7A
- 在TA = 25°C 时，功率耗散为 2.7W
- 工作结温和存储温度范围为 -55 至 +150°C
- PQFN8封装
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
78A
晶体管封装类型
PQFN
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
147W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
150V
漏源接通状态电阻
9000µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3.35V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0034