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NTMD4N03R2G
双路场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 30 V, 4 A, 4 A, 0.048 ohm
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY6.000 | CNY30.00 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY6.000 (CNY6.780) |
| 50+ | CNY4.980 (CNY5.6274) |
| 100+ | CNY3.950 (CNY4.4635) |
| 500+ | CNY3.070 (CNY3.4691) |
| 1000+ | CNY2.780 (CNY3.1414) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 2500+ | CNY2.000 (CNY2.260) |
| 7500+ | CNY1.960 (CNY2.2148) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTMD4N03R2G复制
库存编号
整卷2442239
复卷2845408RL
切割卷带2845408
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压Vds P沟道30V
连续漏极电流 Id N沟道4A
连续漏极电流 Id P沟道4A
漏源通态电阻N沟道0.048ohm
漏源导通电阻P沟道0.048ohm
晶体管封装类型SOIC
针脚数8引脚
耗散功率N沟道2W
耗散功率P沟道2W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id P沟道
4A
漏源导通电阻P沟道
0.048ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
2W
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
4A
漏源通态电阻N沟道
0.048ohm
晶体管封装类型
SOIC
耗散功率N沟道
2W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000212