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NTLJD3115PT1G
双路场效应管, MOSFET, P通道, 20 V, 20 V, 3.3 A, 3.3 A, 0.075 ohm
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY5.400 | CNY5.40 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY5.400 (CNY6.102) |
| 50+ | CNY4.480 (CNY5.0624) |
| 100+ | CNY3.550 (CNY4.0115) |
| 500+ | CNY2.480 (CNY2.8024) |
| 1500+ | CNY2.440 (CNY2.7572) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 3000+ | CNY1.740 (CNY1.9662) |
| 9000+ | CNY1.710 (CNY1.9323) |
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产品信息
制造商ONSEMI
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库存编号
整卷2442233
复卷2845403RL
切割卷带2845403
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压Vds N沟道20V
漏源电压Vds P沟道20V
连续漏极电流 Id N沟道3.3A
连续漏极电流 Id P沟道3.3A
漏源通态电阻N沟道0.075ohm
漏源导通电阻P沟道0.075ohm
晶体管封装类型WDFN
针脚数6引脚
耗散功率N沟道1.5W
耗散功率P沟道1.5W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
通道类型
P通道
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id P沟道
3.3A
漏源导通电阻P沟道
0.075ohm
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
1.5W
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
3.3A
漏源通态电阻N沟道
0.075ohm
晶体管封装类型
WDFN
耗散功率N沟道
1.5W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000012